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등록 : 2019.08.12 20:43 수정 : 2019.08.12 21:15

에스(SK)하이닉스가 개발한 HBM2E D램. 에스케이하이닉스 제공

에스(SK)하이닉스가 개발한 HBM2E D램. 에스케이하이닉스 제공
에스케이(SK)하이닉스는 업계 최고 속도의 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM2E’ 디(D)램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 이 제품은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 높인 HBM D램의 차세대 제품으로 이전 규격인 HBM2에 대비해 처리 속도를 50% 더 높인 게 특징이다. 이 제품은 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구를 통해 초당 460기가바이트(GByte)의 데이터를 처리하게 된다고 에스케이하이닉스는 설명했다. 이는 풀HD급 영화(3.7기가바이트 용량) 124편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도라고 회사 쪽은 설명했다.

송경화 기자 freehwa@hani.co.kr

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